Samsung почала масове виробництво 48-шарової пам'яті 3D V-NAND

          Компанія Samsung Electronics оголосила про початок комерційного виробництва перших у світі багатошарових чіпів флеш-пам'яті TLC NAND ємністю 256 Гбіт. Нові, більш ємкі мікросхеми 3D V-NAND допоможуть компанії зробити твердотільні накопичувачі та інші пристрої, що використовують флеш-пам'ять, більш доступними для покупця, а значить, більш популярними, що, безумовно позитивно відіб’ється на ринковій частці Samsung в цьому секторі.

Samsung, 3D V-NAND, TLC NAND, многослойные чипы, флеш-память

          Нові чіпи ємністю 256 Гбіт базуються на вже перевіреній компанією архітектурі 3D Charge Trap (CTF), в якій відсіки об'єднані вертикально і формують 48-шаровий масив, крізь який проходить 1,8 мільярда сполучних каналів. Отвори для них формуються спеціальним методом сухого травлення (etching). Кожна мікросхема складається з більш ніж 85,3 мільярда відсіків та здатна зберігати 32 Гбайт даних.

Samsung, 3D V-NAND, TLC NAND, многослойные чипы, флеш-память

          Згідно з інформацією, опублікованою розробником, нові 48-шарові мікросхеми TLC споживають на 30% менше енергії, ніж їхні попередники, мають удвічі менший обсяг - 128 Гбіт. Вони також на 40% менше, що вказує на більш тонкий техпроцес, але точних цифр в нанометрах Samsung не розкриває. Фізично менший але при цьому більш ємний кристал означає меншу собівартість. Компанія сподівається, що третє покоління пам'яті 3D V-NAND дозволить зробити доступними для звичайних покупців твердотільні накопичувачі ємністю 1 або навіть 2 Тбайт. Крім того, така пам'ять допоможе Samsung зміцнити свої позиції на корпоративному ринку з новими, більш ємними рішеннями PCIe NVMe і SAS.

Samsung, 3D V-NAND, TLC NAND, многослойные чипы, флеш-память

        Накопичувач PM1633a з інтерфейсом SAS 12Gbps, призначений для великих ЦОД, вже використовує нові мікросхеми 3D V-NAND і володіє ємністю майже 16 Тбайт, а точніше, 15,36 Тбайт. Щільність упаковки даних на цьому пристрої, виконаному у форм-факторі 2,5 ", вище, ніж на доступних сьогодні традиційних механічних жорстких дисках. Більш того, в спеціальному стоєчному корпусі висотою 2U можна розмістити 48 таких накопичувачів. Сумарна ємність в цьому випадку складе 768. За аналогією з JBOD (Just a Bunch of Disks) Samsung називає цей пристрій JBOF - Just a Bunch of Flash, оскільки власного процесора він не має. Обробка двох мільйонів IOPS - саме такий потенціал має новий флеш-масив - цілком покладена на зовнішню систему.